Power Electronic
DCB & AMB Substrates
パワー半導体用DCB & AMB基板
AMB
Active Metal Brazing
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SiN AMB (Au) 窒化ケイ素
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SiN AMB (Cu) 窒化ケイ素
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SiN AMB (Ni) 窒化ケイ素
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SiN AMB窒化ケイ素
| AMB製品特性 | ||||
|---|---|---|---|---|
| AMB基板性能 | 項目 | 数値 | 単位 | |
| 最大寸法 | 138*190 | mm | ||
| 最大有効面積 | 127*178 | mm | ||
| レジスト間ピッチ | 当社デザインルールに沿う | mm | ||
| レジスト幅 | +0.3/-0.2 | mm | ||
| 剥離強度 | >10 | N/mm | ||
| 半田付け性 | >95% | % | ||
| 出荷形態 | 個片納入/MC納入 | |||
| 表面状態 | 銅パターン/レジスト/Niメッキ/ Ni金メッキ/銀メッキ |
µm | ||
| 材 料 |
窒化ケイ素 | 成分 | 96% SiN | % |
| 厚み | 0.32,0.25 | mm | ||
| 密度 | 3.22 | g/cm³ | ||
| 熱伝導性 | 90 | W/m.k | ||
| 杭折強度 | 700 | Mpa | ||
| 比誘電率 | 8 | 1MHz | ||
| 誘電損失 | 0.001 | 1MHz | ||
| 絶縁耐力 | 20 | kV/mm | ||
| 体積抵抗 | 1*1014 | Ωcm | ||
| 窒化アルミ | 成分 | 96% AlN | % | |
| 厚み | 1.0,0.63,0.38,0.25 | mm | ||
| 密度 | 3.3 | g/cm³ | ||
| 熱伝導性 | 170 | W/m.k | ||
| 杭折強度 | 350 | Mpa | ||
| 比誘電率 | 9 | 1MHz | ||
| 誘電損失 | 0.0005 | 1MHz | ||
| 絶縁耐力 | 20 | kV/mm | ||
| 体積抵抗 | 1*1014 | Ωcm | ||
| 銅 | 材質 | 無酸素銅 | ||
| 純度 | 99.99 | % | ||
| 硬度 | 60～110 | HV | ||
| 伝導率 | 58.6 | MS/m | ||
| 厚み | 0.8,0.5,0.4,0.3,0.25,0.2 | mm | ||