Power Electronic
DCB & AMB Substrates
パワー半導体用DCB & AMB基板
DCB
Direct Copper Bonding
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Al₂O₃ DCB (ZTA)アルミナ
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Al₂O₃ DCB (Ag)アルミナ
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Al₂O₃ DCB (Au)アルミナ
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Al₂O₃ DCBアルミナ
| DCB製品特性 | ||||
|---|---|---|---|---|
| DCB基板性能 | 項目 | 数値 | 単位 | |
| 最大寸法 | 138*190 | mm | ||
| 最大有効面積 | 127*178 | mm | ||
| レジスト間ピッチ | 当社デザインルールに沿う | mm | ||
| レジスト幅 | +0.3/-0.2 | mm | ||
| 剥離強度 | >5 | N/mm | ||
| 半田付け性 | >95% | % | ||
| 出荷形態 | 個片納入/MC納入 | |||
| 表面状態 | 銅パターン/レジスト/Niメッキ/ Ni金メッキ/銀メッキ |
µm | ||
| 材 料 |
アルミナZTA | 成分 | 90% Al / ZrO₂ | % |
| 厚み | 0.32,0.25 | mm | ||
| 密度 | 3.95 | g/cm³ | ||
| 熱伝導性 | 27 | W/m.k | ||
| 杭折強度 | 600 | Mpa | ||
| 比誘電率 | 10.5 | 1MHz | ||
| 誘電損失 | 0.0003 | 1MHz | ||
| 絶縁耐力 | 20 | kV/mm | ||
| 体積抵抗 | 1*1014 | Ωcm | ||
| アルミナ | 成分 | 96% Al₂O₃ | % | |
| 厚み | 1.00,0.89,0.76,0.63,0.5,0.3 8,0.32,0.25 | mm | ||
| 密度 | 3.73 | g/cm³ | ||
| 熱伝導性 | 24 | W/m.k | ||
| 杭折強度 | 350～450 | Mpa | ||
| 比誘電率 | 9.8 | 1MHz | ||
| 誘電損失 | 0.0003 | 1MHz | ||
| 絶縁耐力 | 20 | kV/mm | ||
| 体積抵抗 | 1*1014 | Ωcm | ||
| 銅 | 材質 | 無酸素銅 | ||
| 純度 | 99.99 | % | ||
| 硬度 | 90～110 | HV | ||
| 伝導率 | 58.6 | MS/m | ||
| 厚み | 0.40,0.30,0.25,0.20,0.127 | mm | ||